发布日期：2026-06-19 01:20    点击次数：177

6月17日音问，国度常识产权局信息涌现，江苏宏微科技股份有限公司恳求一项名为“功率模块”的专利，授权公告号CN224368304U，授权公告日为2026年6月16日。恳求号为CN202521284708.4，恳求公布日历为2026年6月16日，恳求日历为2025年6月23日，发明东说念主林杰、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒，专利代理机构南京中高专利代理有限公司，专利代理师金啸，分类号H10W70/65、H10W70/66、H10W70/692、H02M7/00、H10D80/20。

专利提要涌现，本实用新式属于功率模块本领边界，具体触及一种功率模块。该功率模块包括：由下至表层叠缔造的底层DBC、中层DBC和顶层DBC；各层DBC均包括层叠缔造的正铜层、陶瓷层和背铜层；所述底层DBC、中层DBC和顶层DBC的正铜层分歧为集电极区域、辐射极区和栅极区域。本实用新式的功率模块经受叠层DBC缱绻，模块的里面绝缘才调可通过各层陶瓷层的厚度进行罢休，无需蚀刻槽填充密封胶格式进行绝缘，幸免了现存本领中的不及；陶瓷的介电强度受温度变化比灌封胶小几个数目级，因此可长久当兵下。此外，集电极区域、辐射极区域和栅极区域处在不同高度上，均不在归并平面，B体育官方网站首页入口因此栅极回路和功率回路间的互感影响极小，模块杂散电感小。

宏微科技建筑于2006年8月18日，于2021年9月1日在上海证券往复所上市，注册地址与办公地址均位于江苏省常州市。该公司是国内功率半导体边界的首要企业，专注IGBT等功率半导体居品，具备较强的本领研发实力。

宏微科技所属申万行业为电子-半导体-分立器件，触及功率半导体、芯片主见、第三代半导体等主见板块。其主买卖务是IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的缱绻、研发、坐褥和销售。

2025年，宏微科技结束买卖收入13.48亿元，在行业18家公司中排行第9，远低于第别称*ST闻泰的312.53亿元和第二名士兰微的130.52亿元，略高于行业中位数13亿元，低于行业平均数39.84亿元。主买卖务中，模块(封装)收入10.34亿元，占比76.74%。净利润方面，当期为1528.89万元，行业排行14/18，远低于第别称扬杰科技的12.45亿元和第二名捷捷微电的4.76亿元，低于行业中位数5933.85万元，高于行业平均数-3.38亿元。

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江苏宏微科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利称号专利类型法律现象恳求号恳求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东说念主1IGBT器件相配制备方法发明专利公布CN202511904173.02025-12-17CN121692683A2026-03-17张永旺、井亚会、高鹏、戚丽娜、崔崧、赵善麒2功率半导体模块外不雅专利授权CN202530700604.62025-11-27CN309993166S2026-05-22张潮、周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒3高散热功率半导体模块及模块承接组件发明专利实验审查的收效、公布CN202511734929.12025-11-25CN121215634A2025-12-26陈超、张海泉、崔崧、赵善麒4非对称单沟说念平面SiCMOSFET器件及制备方法发明专利著录事项变更、实验审查的收效、公布CN202511734931.92025-11-25CN121510617A2026-02-10崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥5分离栅IGBT结构相配栅极开动电路发明专利著录事项变更、实验审查的收效、公布CN202511478844.12025-10-16CN121335120A2026-01-13井亚会、赵善麒、戚丽娜、崔崧、胡爱斌6SiCMOSFET器件相配制备方法发明专利著录事项变更、实验审查的收效、公布CN202511435164.12025-10-09CN121368145A2026-01-20崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥7一种功率模块底板的曲面缱绻方法发明专利授权CN202511378033.42025-09-25CN120850622B2026-01-23周文科、郑军、张海泉、崔崧、赵善麒8SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法发明专利实验审查的收效、公布CN202511366576.42025-09-24CN121194488A2025-12-23戴天祥、张景超、戚丽娜、崔崧、赵善麒9具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件发明专利实验审查的收效、公布CN202511015501.12025-07-23CN120857555A2025-10-28刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒10高压快还原二极管芯片相配制备方法发明专利实验审查的收效、公布CN202510867630.72025-06-26CN120659342A2025-09-16林茂、黄郭铖、戚丽娜、崔崧、赵善麒11功率模块实用新式授权CN202521284708.42025-06-23CN224368304U2026-06-16林杰、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒12功率半导体模块外不雅专利授权CN202530339051.62025-06-13CN309784733S2026-02-10周祥、张潮、岳扬、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒13栅极绽开、关断电阻孤立罢休的功率模块实用新式授权CN202521206897.32025-06-13CN224343169U2026-06-09李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒14SiCMOSFET功率模块实用新式授权CN202521148578.12025-06-06CN224165048U2026-04-24於正新、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒15可拆卸式功率模块烧结压头实用新式授权CN202521150628.X2025-06-06CN224178565U2026-04-28岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒16高耐压垂直型GaN基MOSFET器件发明专利专利恳求权、专利权的转动、实验审查的收效、公布CN202510439355.92025-04-09CN120302688A2025-07-11刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒17一种半桥封装的单管结构相配制作方法发明专利实验审查的收效、公布CN202510373732.32025-03-27CN120300088A2025-07-11井亚会、周昕、戚丽娜、崔崧、赵善麒18栅极电阻颐养结构及功率模块发明专利实验审查的收效、公布CN202510289589.X2025-03-12CN120148994A2025-06-13李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒19二合一功率半导体模块及能源系统实用新式授权CN202520321070.02025-02-26CN223942585U2026-02-24张有诚、张斌、李紫怡、张海泉、崔崧、赵善麒20快还原二极管芯片相配制备方法发明专利实验审查的收效、实验审查的收效、公布CN202510073708.82025-01-17CN119947135A2025-05-06黄郭铖、林茂、戚丽娜、崔崧、赵善麒21防硫化的功率模块发明专利实验审查的收效、实验审查的收效、公布CN202510067300.X2025-01-16CN119650520A2025-03-18石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒22防硫化的功率模块实用新式授权CN202520109221.62025-01-16CN223859674U2026-01-30石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒23功率半导体模块外不雅专利授权CN202530021859.X2025-01-14CN309455955S2025-08-22张潮、周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒24一种抗辐照SiC功率MOSFET器件相配制备方法发明专利实验审查的收效、公布CN202411951406.82024-12-27CN119730329A2025-03-28林茂、戚丽娜、张景超、赵善麒25一种多芯片并联碳化硅功率模块实用新式授权CN202423266380.12024-12-27CN223993838U2026-03-13徐永哲、岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒26一种新式分阵势压接Pin针结构发明专利实验审查的收效、公布CN202411921373.22024-12-25CN119764894A2025-04-04周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒27一种新式分阵势压接Pin针结构实用新式授权CN202423205726.72024-12-25CN223729048U2025-12-26周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒28一种校正HD-GIT结构的HEMT器件发明专利实验审查的收效、公布CN202411910704.22024-12-24CN119866051A2025-04-22刘毅、崔崧、戚丽娜、赵善麒29一种功率模块液冷散热结构实用新式授权CN202423155976.42024-12-20CN223786523U2026-01-09岳扬、张海泉、赵善麒30一种功率器件高温反偏西宾温度深信方法发明专利实验审查的收效、公布CN202411767125.72024-12-04CN119716444A2025-03-28王群、吴云、王天赐、崔崧、赵善麒31一种基于功率半导体欺诈注意散热材料溢出的结构发明专利实验审查的收效、公布CN202411623029.52024-11-14CN119314959A2025-01-14陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒32功率半导体模块外不雅专利授权CN202430721701.92024-11-14CN309468123S2025-08-29周祥、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒33一种基于功率半导体欺诈注意散热材料溢出的结构实用新式授权CN202422773492.X2024-11-14CN223552530U2025-11-14陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒34一种适配于三电平功率模块动态测试的插接夹具实用新式授权CN202422603927.62024-10-28CN223551760U2025-11-14王天赐、吴云、王群、王鑫、崔崧、赵善麒35一种功率模块相配缱绻方法发明专利实验审查的收效、公布CN202411502153.62024-10-25CN119486240A2025-02-18林杰、刘帅帅、张海泉、赵善麒36一种SiC功率MOSFET器件和制作方法发明专利实验审查的收效、公布CN202411343366.92024-09-25CN119364816A2025-01-24张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒37一种SiC功率MOSFET器件实用新式授权CN202422343705.52024-09-25CN223379519U2025-09-23张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒38由半导体分立器件后头进行失效定位的方法发明专利公布CN202411072071.22024-08-06CN119001387A2024-11-22吴云、王群、王天赐、查林晨、徐楠、崔崧、赵善麒39一种功率模块用的散热基板发明专利实验审查的收效、公布CN202410815656.22024-06-24CN118571851A2024-08-30石彩云、周祥40超声键合端子相配制造方法与具有压接功能的功率模块发明专利实验审查的收效、公布CN202410753992.92024-06-12CN118588668A2024-09-03周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒41一种超声键合端子及具有压接功能的功率模块实用新式授权CN202421332326.X2024-06-12CN222775318U2025-04-18周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒42功率半导体模块（二）外不雅专利授权CN202430069202.62024-02-01CN308835654S2024-09-13周祥、石彩云、张海泉、麻长胜、赵善麒43功率半导体模块（一）外不雅专利授权CN202430069154.02024-02-01CN308835653S2024-09-13周祥、石彩云、张海泉、麻长胜、赵善麒44功率模块封装结构和电子开辟实用新式授权CN202420196580.52024-01-26CN222637277U2025-03-18李申祥、周祥、曾旭阳、赵善麒45快还原二极管器件相配制作方法发明专利实验审查的收效、公布CN202311845493.42023-12-28CN117855290A2024-04-09黄郭铖、林茂、戚丽娜、俞义长、赵善麒46双向RC-MPTIGBT器件相配制作方法发明专利实验审查的收效、公布CN202311744943.02023-12-18CN117936572A2024-04-26戚丽娜、张景超、俞义长、陈国康、赵善麒47功率半导体模块外不雅专利授权CN202330815179.62023-12-11CN308753168S2024-07-26周祥、郑军、张海泉、张正义、麻长胜、赵善麒48键合平台实用新式授权CN202323020089.12023-11-08CN221427683U2024-07-26缪益炜、张正义、赵善麒49SiC功率MOSFET器件相配制作方法发明专利发明专利恳求公布后的驳回、实验审查的收效、公布CN202311478426.32023-11-07CN117393605A2024-01-12张景超、戚丽娜、井亚会、林茂、俞义长、赵善麒50一种IGBT单管叠片封装结构实用新式授权CN202322856351.X2023-10-24CN221708714U2024-09-13周昕、林茂、俞义长、赵善麒B体育(BSports)

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